电源紫外线灯13.5KW电源

弊社が作っている超高圧UVランプは、主に半導体や液晶、プリント基板などのリソグラフィ（回路パターン焼付け）用光源として、各種の露光装置に搭載されています。用途として半導体回路形成用光源、液晶パターン形成用光源、カラーフィルターパターン形成用光源、プリント基板回路形成用光源、MEMSパターン形成用光源、蛍光顕微鏡用光源、紫外線硬化用光源、その他新規露光用途など数多くに使われています。製品の型式について営業担当者までお問い合わせてください。 i线步进式光刻机NSR-2005i9用于半导体器件制造。使用ORC制作所高压汞灯，功率2KW，型号：NLi-2001AL。电源紫外线灯13.5KW电源

半导体领域使用光刻机有5类：G线光刻机，使用高压汞灯作为光源，紫外线波长为436nm，产品分辨率500nm以上；I线光刻机，使用高压汞灯作为光源，紫外线波长为365nm，产品分辨率28nm以上；氟化氪(KrF)光刻机，使用氟化氪准分子激光(DUV)作为光源，紫外线波长为248nm，产品分辨率180nm；氟化氩光刻机，使用氟化氩准分子激光(DUV)作为光源，紫外线波长193nm；EUV光刻机，使用13.5nm极紫外线，产品分辨率，分辨率可达7nm；敝司代理光刻机使用的I线365nm高压汞灯紫外线。低压汞灯紫外线灯AHD-750H-O-Ni线步进式光刻机NSR-4425i12,用于半导体器件制造。使用ORC制作所高压汞灯，功率2KW，型号：NLi-2501A。

紫外线照度计检测原理：光电池是把光能直接转换成电能的光电元件。当光线射到硒光电池表面时，入射光透过金属薄膜4到达半导体硒层2和金属薄膜4的分界面上，在界面上产生光电效应。产生电位差的大小与光电池受光表面上的照度有一定的比例关系。光电流的大小取决于入射光的强弱和回路中的电阻。照度计有变档装置，因此可以测高照度，也可以测低照度。这时如果接上外电路，就会有电流通过，电流值从以勒克斯(Lx)为刻度的微安表上指示出来。

光刻机的品牌众多，根据采用不同技术路线的可以归纳成如下几类：**的投影式光刻机可分为步进投影和扫描投影光刻机两种，分辨率通常七纳米至几微米之间，**光刻机号称世界上**精密的仪器，世界上已有1.2亿美金一台的光刻机。极紫外光刻机堪称现代光学工业之花，其制造难度之大，全世界只有少数几家公司能够制造。国外品牌主要以荷兰ASML（镜头来自德国），日本Nikon（intel曾经购买过Nikon的半导体光刻机）和日本Canon三大品牌为主。光刻机性能的三大指标分别是分辨率（CD）、套刻精度（overlay）、和产率（throngput，wph）。

紫外线固化灯：

型号：UVL-14KM4-O

种类：金属卤素灯

额定功率：14KW

电流：28A

电压：49.5V

照度：38.5mW/CM²

发光管长度：500mm

电压范围：450～550V；点灯检测结果：495V。电流范围：24～32A；点灯检测结果：38.2A。功率：14，020W；365nm紫外线强度38.5mw/cm2。

被照射物体表面温度随着功率增大而变大，功率14KW是：100℃±3％

主要用处:紫外线固化设备。

特点①UVResin固化,框胶封边材料固化。

②主波长以365nm为中心构成。

③容量;可制作1kw到40kw，lamp隙间长可制作100mm到2700mm

④lampOutDia可到14mm~50mm 我们的紫外线灯可有效杀灭细菌、病毒等微生物，保障食品安全和人员健康。紫外线灯5GLZ30AL

i线步进式光刻机NSR-SF100,用于半导体器件制造。使用ORC高压汞灯，功率3.5KW，型号：NLi-3500AS。电源紫外线灯13.5KW电源

 紫外线固化杀菌 (1)杀菌原理： 通过紫外线杀菌就是通过紫外线的照射，破坏及改变微生物的 DNA(脱氧核糖核酸)结构，使细菌当即死亡或不能繁殖后代，达到杀菌的目的。紫外线杀菌的有效波长范围可分为四个不同的波段：UVA(400～315nm)、UVB(315～280nm)、UVC(280～200nm)和真空紫外线(200～100nm)，真正具有杀菌作用的是UVC紫外线，因为C波段紫外线很易被生物体的DNA吸收，尤以253.7nm左右的紫外线 。[1] uv固化原理 紫外线固化原理： 紫外线光(UV)固化是利用光引发剂(光敏剂)的感光性、在紫外线光照射下光引发形成激发生态分子，分解成自由基或是离子，使不饱和有机物进行聚合、接技、交联等化学反应达到固化的目的。 紫外灯的红外辐射的处理方法： 紫外线高压汞灯将60%的总功率转变为红外辐射，灯管表面温度可升到700-800℃。 电源紫外线灯13.5KW电源